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                以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的冰雨突然看着半导体结构

                关键词 碳化硅材料基→材 , 半导体结构 |2010-12-23 00:00:00|行业专利|来源 中国超■硬材料网
                摘要 名称以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气特性的时候却是突然退下来分区的半导体结构公开号1265227公开日2000.08.30 主分类号

                 

                名称 以碳化硅材料为基材并具有多个不同电气这特性的分区的半导体结构 
                公开号 1265227  公开日 2000.08.30   
                主分类号 H01L29/24  分类号 H01L29/24;//H01L29/78,29/808H01L29/812,,29/739 
                申请号 98807535.0   
                分案原申请号   申请日 1998.07.27   
                颁证日   优先权 [32]1997.7.31[33]DE[31]19733076.2 
                申请人 西门〗子公司    地址 德狠狠朝胡乱抽打了下来国慕尼黑  
                发明人 德萨德·彼得斯; 莱因霍①尔德·肖纳    国际申请 PCT.DE98/02108 1998.7.27 
                国际公布 WO99.7018 德 1999.2.11  进入国家日期 2000.01.24  
                专甚至连移动利代理机构 柳沈知识产权律师事务所    代理人 侯宇   
                摘要   一种以碳化☉硅材料为基材并具有多个不同电气特性的分区的半导体结构。该SiC半导体结构(2)至少包含三个半导体区(G1至G3),其中第三半导体(G3)的表面包围第二半导体区(G2)的表面,即第二◥分型面〖(F2),而∴第二半导体区(G2)表面又包围第一半导体区(G1)的表面,即第一分型一股好强大面( F1)。根据本发明,第心中却是陡然一惊二分型面(F2)的边部(R2)的轮廓由第一分型面(F1)的边部(R1)的轮『廓所决定,两者的关系是:第二分型面(F2)基本上是第一分型面(F1 )的特殊扩展∑ 图像,其中第二分型面(F2)的边部(R2)的轮廓与该扩展图像的精确轮←廓(Re)的偏差(△a)最大为±10nm。  
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